نشر الأستاذ المساعد الدكتور عمار عايش حبيب التدريسي من قسم علوم الفيزياء في كلية العلوم بجامعة يدالى بحثاً علمياً بعنوان تأثير تطعيم الكاليوم (Ga Doping) على التركيب البلوري والنمط الاستقطابي لتوليد التوافقي الثنائي (SHG) في الأغشية النانومترية لاوكسيد الزنك (ZnO) وذلك في مجلة Nanomaterials المواد النانوية المصفة ضمن مستوعبات سكوباس وثومسون رويترز ذات معامل تأثير قدره 4.034 .

تضمن البحث دراسة التوليد التوافقي الثنائي (SHG) في الأغشية النانوية لاوكسيد الزنك (ZnO) المطعمة بالكاليوم  (GZO)أثر التطعيم الـ Ga في غشاء النانوي للـ GZO على التركيب البلوري للأغشية، مما أثر على خصائص SHG للأغشية النانوية. حيث تم الحصول على استجابة SHG قوية في الاغشية النانوية، الذي كان مثارة بواسطة ليزر فيمتوثانية عند 790 نانومتر. وقد لوحظ أن تراكيز التطعيم للـ Ga تؤثر ، ليس فقط على الشدة ، ولكن أيضًا على النمط الاستقطابي لـ SHG في الأغشية النانوية GZO. بالنسبة إلى 5.0٪ من أفلام GZO المخدرة ، زادت شدة الـ SHG بحوالي 70٪. نسبة شدة SHG بين زاوية استقطاب الضوء الساقط 90 درجة و 0 درجة مع تراكيز تطعيم مختلفة Ga.

وأظهرت الزيادة الأكثر أهمية بالنسبة لأفلام GZO بنسبة تطعيم 7.3 ٪ ، مع زيادة نسبة c/a ثوابت البلورية. وتعزى هذه النتيجة إلى الاختلافات في نسب d33 / d31  من الدرجة الثانية مكونات الحساسية اللاخطية الناجم عن تشويه التركيب البلوري. النتائج هي مفيدة للتحقيق في مستويات التطعيم للغشاء النانوي (nanofilms) وتشويه التركيب البلوري بواسطة المجهر SHG، وهو طريقة غير مدمرة وحساسة. نسبة SHG بين زاوية استقطاب الضوء الساقط 90 درجة و 0 درجة مع تركيزات مختلفة من ال Ga. أظهرت الزيادة الأكثر أهمية بالنسبة لأغشية ال GZO المطعمة  بنسبة 7.3٪ ، مع زيادة نسبة ثوابت البلورة. تُعزى هذه النتيجة إلى الاختلافات في نسب d33 / d31 (مركبات القابلية التأثرية الغير الخطية من الدرجة الثانية) الناجمة عن التشوه البلوري. النتائج هي مفيدة للتحقيق في مستويات التطعيم للـ nanofilms وتشويه التركيب البلوري بواسطة المجهر SHG ، وهو طريقة غير مدمرة وحساسة.

• للاطلاع على البحث كاملاً أضغط هنا

<<  الموضوع التالي  |  الموضوع السابق  >>